[发明专利]电极材料、超级电容器、电子设备和制备电极材料的方法有效
| 申请号： | 201710308095.7 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108806999B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 杨婉璐;李阳兴;刘辰光 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/24;H01G11/28;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 11329 北京龙双利达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 毛威;肖鹂 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种电极材料、超级电容器、电子设备和制备电极材料的方法。该电极材料，包括电荷集流体膜层和分等级阵列双层膜层，该分等级阵列双层膜层包括纳米尺寸片状阵列膜层和微米尺寸花状阵列膜层，其中，该纳米尺寸片状阵列膜层是在该电荷集流体膜层上原位生长的，该微米尺寸花状阵列膜层排列在该纳米尺寸片状阵列膜层的上层。本申请提供的电极材料在电荷集流体膜层上原位生长纳米尺寸片状阵列膜层，其上再生成一层微米尺寸花状阵列膜层，形成分等级阵列双层膜层，分等级阵列双层膜层中具有大量的孔隙结构，能够极大地提高电荷集流体单位面积上的活性物质负载质量以及活性物质与电解液界的接触面积，可以有效提高电极材料的比容量。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列膜层 电极材料 双层膜层 电荷 集流体膜 花状 制备电极材料 超级电容器 电子设备 原位生长 活性物质负载 活性物质 孔隙结构 比容量 电解液 集流体 申请 上层 再生 | ||
【主权项】：
1.一种电极材料，其特征在于，包括电荷集流体膜层和分等级阵列双层膜层，所述分等级阵列双层膜层包括纳米尺寸片状阵列膜层和微米尺寸花状阵列膜层，其中，所述纳米尺寸片状阵列膜层是在所述电荷集流体膜层上原位生长的，所述微米尺寸花状阵列膜层排列在所述纳米尺寸片状阵列膜层的上层，所述分等级阵列双层膜层的成分为金属氧化物、金属氢氧化物或复合金属氧化物，所述金属氧化物、金属氢氧化物或复合金属氧化物中的金属包括Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn和Mo中的至少一种。/n
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