[发明专利]一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜的图案化制备方法，该方法通过模板与衬底构筑微通道，利用薄膜前驱液液滴对基片的浸润作用产生的驱动力使液滴在微通道内移动而实现薄膜的图形化。本方法简便可行，适应范围广，可用于实现各类薄膜前驱液溶液或者悬浮液的图案定制。本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，所述的薄膜晶体管的半导体沟道层、绝缘栅介质层、源漏电极层以及栅电极层中的任一层采用上述薄膜的图案化制备方法制备。本发明还公开了一种忆阻器的制备方法，所述的忆阻器的底电极层，阻变层和顶电极层中的任一层采用上述薄膜的图案化制备方法制备。

主权项

1.一种图形化薄膜的制备方法，包括：步骤1，准备薄膜前驱液，并选择衬底，其中，所述的薄膜前驱液为铟、镓、锌、镉、锡、铝、钇、铪、锆的无机盐溶液或者其中若干种金属无机盐的混合溶液以及石墨烯、类石墨烯二维材料的溶液或悬浮液；步骤2，对所述衬底进行清洗，并对清洗后衬底的生长面进行亲水处理；步骤3，选择一预先准备的带有图案的模板，并将所述模板贴合并固定在亲水处理后的衬底上；步骤4，在模板与衬底形成的微孔道两端滴加所述薄膜前驱液，并使所述薄膜前驱液充分浸润模板两端；步骤5，静待，待观察到所述薄膜前驱液在微通道内不再移动，进行薄膜前驱液溶剂的蒸发处理，完成图形化薄膜的初步固化；步骤6，确认薄膜初步固化后去除模板，然后对衬底及之上的薄膜进行温度为100～400℃的退火处理，完成薄膜的图形化制备。