[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710310352.0 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807514B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有第一初始介质层，第一初始介质层中具有贯穿第一初始介质层的开口；在所述开口中形成金属栅电极，形成所述金属栅电极的方法包括：在所述开口中以及第一初始介质层上形成金属栅电极材料层；研磨金属栅电极材料层直至暴露出第一初始介质层的顶部表面；研磨金属栅电极材料层后，去除部分第一初始介质层，使第一初始介质层形成第一介质层，第一介质层的厚度小于第一初始介质层的厚度；形成贯穿第一介质层的源漏导电插塞，所述源漏导电插塞分别位于金属栅电极两侧。所述方法使半导体器件的电学性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有第一初始介质层，第一初始介质层中具有贯穿第一初始介质层的开口；在所述开口中形成金属栅电极，形成所述金属栅电极的方法包括：在所述开口中以及第一初始介质层上形成金属栅电极材料层；研磨金属栅电极材料层直至暴露出第一初始介质层的顶部表面；研磨金属栅电极材料层后，去除部分第一初始介质层，使第一初始介质层形成第一介质层，第一介质层的厚度小于第一初始介质层的厚度；形成贯穿第一介质层的源漏导电插塞，所述源漏导电插塞分别位于金属栅电极两侧。
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