[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710310400.6 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN108788486B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 胡友存;熊鹏;高永辉;金立中 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;H01L21/78;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括若干芯片区域和位于相邻芯片区域之间的间隔区域，所述间隔区域包括测试区域和切割区域，切割区域位于测试区域两侧，且切割区域位于测试区域和芯片区域之间；在所述半导体衬底上形成介质层、位于芯片区域介质层中的芯片金属互联层、以及仅位于测试区域介质层中的测试金属互联层；去除所述切割区域的介质层，使芯片区域介质层和测试区域介质层分立。所述方法使半导体器件的性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括若干芯片区域和位于相邻芯片区域之间的间隔区域，所述间隔区域包括测试区域和切割区域，切割区域位于测试区域两侧，且切割区域位于测试区域和芯片区域之间；在所述半导体衬底上形成介质层、位于芯片区域介质层中的芯片金属互联层、以及仅位于测试区域介质层中的测试金属互联层；去除所述切割区域的介质层，使芯片区域介质层和测试区域介质层分立。
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