[发明专利]类金刚石薄膜物理退膜方法及退膜设备有效
| 申请号： | 201710310833.1 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107236926B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 柏洋;钱涛;焦飞 | 申请（专利权）人： | 星弧涂层新材料科技(苏州)股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C16/02;H05H1/46 |
| 代理公司： | 32297 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 陆明耀 |
| 地址： | 215122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种类金刚石薄膜物理退膜方法及退膜设备，至少包括反应退膜过程，所述反应退膜过程是在低真空环境中，使强氧化性反应气体在设定电源的诱发下产生带电等离子体与类金刚石薄膜逐层反应。本发明的退膜方法，过程简单，运用物理机制退膜，利用不断生成的带电等离子体的强氧化性，在电磁场的牵引下吸附在涂层表面并与类金刚石薄膜反应退膜，整个退膜过程不需要化学药剂，对基材不产生表面缺陷，粗糙度增加等问题，不影响基本尺寸，不改变材质性能。真正做到无损伤，方便高效，成本低廉，过程可控，绿色环保等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 薄膜 物理 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.类金刚石薄膜物理退膜方法，其特征在于：至少包括反应退膜过程，所述反应退膜过程是在低真空环境中，使强氧化性反应气体在设定电源的诱发下产生带电等离子体与类金刚石薄膜逐层反应；/n所述反应退膜过程包括如下步骤：/nS1，将待退膜工件放入真空腔中的导电盘上，并使其上的类金刚石薄膜暴露在真空腔中，抽真空至10Pa以下；/nS2，向真空腔内通入强氧化性反应气体，并稳定一段时间；/nS3，开启与导电盘连接的电源，控制产生的输出电压在200V-800V之间，占空比在30%-70%之间，从而使强氧化性反应气体不断生成带电等离子体与类金刚石薄膜反应，并控制带电等离子体定向移动产生的电流不大于设定值。/n
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