[发明专利]一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法在审
| 申请号： | 201710311489.8 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107425095A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 杨国锋;汪金;张秀梅;谢峰;钱维莹 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其中制作方法包括在衬底上依次沉积GaN缓冲层、N型GaN、Ni金属薄膜。快速退火制备Ni纳米颗粒掩膜。采用ICP刻蚀工艺制备获得锥形GaN纳米结构，除去锥形GaN纳米结构表面残余的金属Ni。接着在所述的锥形GaN纳米结构表面沉积InGaN/GaN量子阱和P型GaN,获得一个完整的GaN基LED外延片。用此方法制备的InGaN/GaN量子阱可以实现一次出射多个波段的光谱，同时兼顾目前的半导体器件生产工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 ni 纳米 模板 制备 波段 发光 ingan gan 量子 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底正面沉积缓冲层、N型GaN、Ni薄膜；将所述的外延片在氮气氛围中进行快速退火处理，得到Ni纳米颗粒；采用ICP刻蚀的方法制备获得锥形GaN阵列；除去外延片表面的金属Ni。在所述的锥形GaN阵列上依次沉积InGaN/GaN量子阱，P型GaN。
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