[发明专利]一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法有效
申请号: | 201710311705.9 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107010654B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 李晨辉;单静静;刘江安;史玉升;吴甲民;闫春泽;桂如峰 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C01G15/00 | 分类号: | C01G15/00;C04B35/01 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 张彩锦;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法,其将纯度为99.99%以上的金属镓原料溶解于酸中,配制澄清的镓盐溶液,加入沉淀剂产生沉淀物,将获得的沉淀经洗涤、过滤、干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体;用合成的单分散氧化镓粉体作为原料,经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯,将生坯放在高温炉中烧结,制成高密度、微观结构均匀的氧化镓陶瓷靶材。本发明具有工艺简单、操作方便、产量高等优点,适合工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 分散 氧化 镓粉体 及其 高密度 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种单分散氧化镓粉体的制备方法,其特征在于,以纯度为99.99%以上的金属镓作为原料,并将该原料溶解于硝酸、盐酸或硫酸中以配制浓度为0.1mol/L~1mol/L的镓盐溶液,然后在机械搅拌下向该镓盐溶液中加入沉淀剂以发生沉淀反应,其中反应温度控制在30℃~70℃,反应的pH值控制在7~9,当反应的pH值达到所需数值时停止加沉淀剂,继续搅拌老化3h以上,在该过程中补加沉淀剂使得反应的pH值稳定在所需pH±0.2范围内,最后将反应获得的白色沉淀物经洗涤、过滤、干燥、煅烧后制备获得粒径≤8μm的颗粒含量在98%以上且中位粒径D50 的范围为0.5μm~2.5μm的单分散氧化镓粉体,其中干燥温度为60℃~100℃,干燥时间为12h~20h,煅烧温度为900℃,煅烧时间为2~3h,煅烧气氛为空气,所述沉淀剂为氨水溶液。
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