[发明专利]一种磁畴偏转模型建立方法及装置有效
申请号: | 201710313713.7 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107037383B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 王亚文;谷爱昱;严柏平;江伟 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | G01R33/18 | 分类号: | G01R33/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;唐京桥 |
地址: | 510062 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种磁畴偏转模型建立方法及装置,用于解决原有的磁畴角度偏转模型能够较好描述载荷作用下材料的磁化特性,但模型对外在宏观特性的描述简单,求解过程复杂,且模型需要进行参数修正的技术问题。本发明实施例的一种磁畴偏转模型建立方法包括:S1:在预定的应力和磁场作用下,获取超磁致伸缩材料内单畴颗粒的预定的自由能公式;S2:通过预定的自由能公式获取预定的方向上的磁化强度公式;S3:对所述磁化强度公式分别进行对应力和磁场的偏导运算,获取对应的偏导函数;S4:将所述偏导函数代入预定的磁化密度增量公式中,获取预定的磁场增量值,获取磁化密度增量的计算结果。 | ||
搜索关键词: | 一种 偏转 模型 建立 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种磁畴偏转模型建立方法,其特征在于,包括:S1:在预定的应力和磁场作用下,获取超磁致伸缩材料内单畴颗粒的预定的自由能公式,其中,预定的自由能公式为:
其中,H为磁场;Ms为饱和磁化强度;K1和K2为立方晶磁各向异性常数;σ为应力张量;λ100和λ111为磁致伸缩参数;
为场方向;
为应力方向,
为磁化方向;μ0为磁导率;S2:通过预定的自由能公式获取磁化能公式、磁晶各向异性能公式、应力各向异性能公式,通过所述磁化能公式、所述磁晶各向异性能公式、所述应力各向异性能公式,获取预定的磁化强度矢量
方向上的磁化强度公式:
其中,σ为预定的应力;H为预定的磁场;
为预定的磁化强度矢量;
为磁化方向;Efield为磁化能;Ean为磁晶各向异性能;Eσ为应力各向异性能;K为归一化常数;ω为电位分布参数;S3:对所述磁化强度公式分别进行对应力和磁场的偏导运算,获取对应的偏导函数;S4:将所述偏导函数代入预定的磁化密度增量公式中,获取预定的磁场增量值,获取磁化密度增量的计算结果。
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