[发明专利]一种由四卤化硅制备纳米硅的方法在审
| 申请号： | 201710313733.4 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107265462A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘志亮;常兴华;梁盛进;郑捷;李星国 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 | 代理人： | 刘召民 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种由四卤化硅制备纳米硅的方法，该方法基于碱金属和碱土金属的强还原性，通过在室温下球磨实现四卤化硅的快速高效还原。该方法极其简单高效，不需要使用任何溶剂和其它反应介质，且可以在室温下大量合成纳米硅，具有原料廉价易得，反应简单快捷，产率高，成本低，容易扩大生产等优势。所制备出的纳米硅纯度高，尺寸小，可调控，且分布均匀，可用于锂离子电池负极材料，太阳能电池，传感器，光学器件等各个方面，极具工业化应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤化 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种由四卤化硅制备纳米硅的方法，具体步骤如下：(1)取四卤化硅和碱金属/碱土金属进行球磨；(2)往球磨后后的混合物中依次加入乙醇和水，再洗涤、分离、干燥，得到纳米硅。
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