[发明专利]固态等离子PIN二极管有效
| 申请号： | 201710313883.5 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107123690B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王斌;胡辉勇;陶春阳;苏汉;史小卫;舒斌;郝敏如 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 闫家伟 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种固态等离子PIN二极管。该器件包括SOI衬底(101)；第一P区台阶(102)、第一N区台阶(103)、第二P区台阶(104)、第二N区台阶(105)、第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)，分别设置于SOI衬底(101)内并位于SOI衬底(101)的两侧；其中，第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)分别位于第一P区台阶(102)及第一N区台阶(103)的下侧；第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)分别位于第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)的下侧。本发明通过在SOI衬底上制备多个台阶形成多层沟道，利用两个沟道内高浓度载流子的叠加作用使得整个本征区内载流子浓度达到均匀，从而提高了横向PIN二极管的功率密度，增强了PIN二极管的固态等离子体特性。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 等离子 pin 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种固态等离子PIN二极管，其特征在于，包括：/nSOI衬底(101)；所述SOI衬底(101)的两端均设置有源区沟槽，所述有源区沟槽上至下具有第一层沟道、第二层沟道和第三层沟道，所述第一层沟道、所述第二层沟道和所述第三层沟道形成台阶状；/n第一P区台阶(102)、第一N区台阶(103)、第二P区台阶(104)、第二N区台阶(105)、第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)；所述第一P区台阶(102)、所述第二P区台阶(104)、所述第三P区台阶(106)分别位于所述SOI衬底(101)的一端的所述第一层沟道上、所述第二层沟道上、所述第三层沟道上；所述第一N区台阶(103)、所述第二N区台阶(105)、所述第三N区台阶(107)分别位于所述SOI衬底(101)的另一端的所述第一层沟道上、所述第二层沟道上、所述第三层沟道上；其中，所述第二P区台阶(104)及所述第二N区台阶(105)分别位于所述第一P区台阶(102)及所述第一N区台阶(103)的下侧；/n所述第三P区台阶(106)及所述第三N区台阶(107)分别位于所述第二P区台阶(104)及所述第二N区台阶(105)的下侧。/n
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