[发明专利]薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。薄膜晶体管的制作方法，包括在衬底基板上形成遮光金属图形和源漏金属层图形；形成缓冲层，对缓冲层进行构图，形成暴露出部分遮光金属图形的第一过孔和暴露出部分源漏金属层图形的第二过孔；在缓冲层上形成半导体层的图形，半导体层的图形包括源极区、漏极区、位于源极区和漏极区之间的有源层，源极区通过第一过孔与遮光金属图形连接，漏极区通过第二过孔与源漏金属层图形连接；在半导体层的图形上形成栅绝缘层和栅极；以栅极为掩膜，对源极区和漏极区进行导体化处理，形成薄膜晶体管的源极和漏极。本发明能够保证薄膜晶体管的产品良率和显示基板的显示效果。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成遮光金属图形和源漏金属层图形；形成覆盖所述遮光金属图形和所述源漏金属层图形的缓冲层，对所述缓冲层进行构图，形成暴露出部分所述遮光金属图形的第一过孔和暴露出部分所述源漏金属层图形的第二过孔；在所述缓冲层上形成半导体层的图形，所述半导体层的图形包括源极区、漏极区、位于所述源极区和所述漏极区之间的有源层，所述遮光金属图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影，且所述遮光金属图形在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述源极区和部分所述漏极区在所述衬底基板上的正投影，所述源极区通过所述第一过孔与所述遮光金属图形连接，所述漏极区通过所述第二过孔与所述源漏金属层图形连接；在所述半导体层的图形上形成栅绝缘层的图形和栅极，所述栅绝缘层的图形在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影重合；以所述栅极为掩膜，对所述源极区和所述漏极区进行导体化处理，形成薄膜晶体管的源极和漏极。