[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。能够提高半导体器件的特性。半导体器件构成为具有SOI衬底、在活性区域上隔着栅极绝缘膜(GI1)形成的栅电极(GE1)、和在元件分离区域形成的虚拟栅电极(DGE1)，该SOI衬底具有活性区域和元件分离区域即元件分离绝缘膜(STI)。在虚拟栅电极(DGE1)的两侧形成虚拟侧壁膜(DSW)，该侧壁膜以与活性区域与元件分离区域即元件分离绝缘膜(STI)的边界一致或重叠的方式配置。根据所述构成，即便在接触孔(C1)偏移形成的情况下，也能够防止插塞(P1)形成得较深而到达例如绝缘层(BOX)、支撑衬底(SB)。

主权项

一种半导体器件，具有：SOI衬底，所述SOI衬底具有第一活性区域和与所述第一活性区域接触配置的元件分离区域，且所述SOI衬底具有支撑衬底、在所述支撑衬底上形成的绝缘层、和在所述绝缘层上形成的半导体层，在所述第一活性区域的所述半导体层上隔着栅极绝缘膜而形成的栅电极，在所述栅电极的两侧的所述半导体层中形成的源漏区域，在所述元件分离区域形成的虚拟栅电极，和在所述虚拟栅电极的两侧形成的侧壁膜，所述元件分离区域由被埋入到比所述绝缘层深的槽内的绝缘膜构成，所述侧壁膜沿所述第一活性区域与所述元件分离区域的边界配置。