[发明专利]一种LED倒装芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710318359.7 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN106997917A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 吴懿平;夏卫生;陈亮;区燕杰 | 申请（专利权）人： | 珠海市一芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/60;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 伦荣彪 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市国家高新技术开发区唐家*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED倒装芯片，包括LED倒装芯片主体，于LED倒装芯片主体焊接面的P型导电区域和N型导电区域和倒装芯片主体非焊接面区域均覆盖有ODR结构，ODR结构采用全角度反射萃取出光；ODR结构包括发光层和于发光层上依次堆叠的DBR反射层或第一绝缘层、金属反射层、第二绝缘层。该LED倒装芯片采用ODR结构进行全角度反射萃取出光，与现有技术的倒装芯片结构相比，本发明的LED倒装芯片对芯片的非焊接面和传统非出光的焊接面的P型导电区域和N型导电区域均产生光反射，能全面和全角度产生反射出光，发光效率更高，导电导热效果更好，同时反射金属层与电极层可以一起加工制作，工艺简单可行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 倒装 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED倒装芯片，包括LED倒装芯片主体，其特征在于，于LED倒装芯片主体焊接面的P型导电区域和N型导电区域和倒装芯片主体非焊接面区域均覆盖有ODR结构，ODR结构采用全角度反射萃取出光；所述的ODR结构包括发光层和于发光层上依次堆叠的DBR反射层或第一绝缘层、金属反射层、第二绝缘层。
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