[发明专利]一种适用于非易失性存储器的编程EFUSE电路结构在审
| 申请号： | 201710319251.X | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107221354A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 郭家荣 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18;G11C17/16 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 翁若莹,吴小丽 |
| 地址： | 201100 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种适用于非易失性存储器的编程EFUSE电路结构，电流源连接位线选择器YSEL，位线选择器YSEL连接EFUSE元件。EFUSE元件由多晶硅电阻R_FUSE和NMOS器件WLSEL连接构成；位线选择器YSEL连接多晶硅电阻R_FUSE一端，多晶硅电阻R_FUSE另一端连接NMOS器件WLSEL。电流源直接驱动多晶硅电阻R_FUSE，获取精准的编程电流；编程过程中，NMOS器件WLSEL仅作为字线选择功能，工作在线性区，不需要对编程电流进行限制。本发明提供的电路结构适用于非易失性存储器，编程性能好，EFUSE元件面积小，且应用不需要高电压，系统效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 非易失性存储器 编程 efuse 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种适用于非易失性存储器的编程EFUSE电路结构，其特征在于：包括电流源、位线选择器YSEL和EFUSE元件，电流源连接位线选择器YSEL，位线选择器YSEL连接EFUSE元件。
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