[发明专利]一种去除钛合金微弧氧化膜层残留基体的方法

摘要

本发明公开了一种去除钛合金微弧氧化膜层残余基体的具体方法，将微弧氧化后的试样的一面膜层用砂纸打磨掉，连接电解夹具，再用环氧树脂进行镶嵌，待树脂凝固后将面对基体一侧的环氧树脂用砂纸打磨掉使其基体暴露。之后，在质量分数为3.5%的NaCl溶液中进行钛质基体的阳极溶解，并且在溶液中加入搅拌器进行搅拌，即可得到完整的微弧氧化陶瓷层。本发明操作简单，无污染，不破坏膜层，得到的陶瓷层纯净且完整。可以对钛质微弧氧化膜层的膜基界面进行SEM，EDS，XRD的检测，对膜基界面进行微观形貌的观察和成分检测以及相组成的确定，对微弧氧化机理的研究有很大的帮助。

主权项

一种去除钛合金微弧氧化膜层残留基体的方法，其特征在于：（1）分离前制备；①将带有微弧氧化后试样的一面用砂纸打磨至钛合金基体暴露；②将打磨好的试样连接上夹具并用环氧树脂进行镶嵌；③用砂纸打磨掉基体一侧的环氧，并使其基体暴露；④配置电解液为质量分数1.5～10％的NaCl溶液；⑤在溶液中加入搅拌器，使搅拌器转速为650r/min；⑥连接电路：将步骤④所配电解液倒入电解槽中，不锈钢作为阴极通过导线与电源负极连接，镶嵌打磨后的试样作为阳极通过导线与电源正极连接，组成分离所需电路；（2）接通电源，采用恒压法，电压为15V，待基体全部溶解后取出膜层，在溶解过程中检测溶液的pH值，并用稀盐酸调节pH值，使电解溶液保持中性；（3）将步骤（2）获得的微弧氧化试样用去离子水浸泡10min后取出，烘干以备后续使用。