[发明专利]一种半桥功率半导体模块有效
| 申请号： | 201710321481.X | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN106971992B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 彭凯;范伟;金肩舸;王晓元;杨进峰;李彦涌 | 申请（专利权）人： | 中车株洲电力机车研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半桥功率半导体模块，包括：位于底层的半导体芯片组；位于顶层的低感复合母排，低感复合母排的两侧分别延伸设置有交流接口和正负层接口，低感复合母排包括叠层设置的负层母排、正层母排和交流层母排；位于中间层相互并联的若干汇流母排组，其中，各汇流母排组的底端和半导体芯片组中的相应半导体芯片连接，各汇流母排组的顶部汇流端和低感复合母排的对应母排连接。半导体芯片组为功率模块的主功能部分，低感复合母排的交流接口和正负层接口作为功率模块的主电路外部接口，汇流母排组实现低感复合母排和半导体芯片组的导电连接，兼顾了汇流母排组以及半导体芯片组的各芯片之间的均流性，提高了功率模块的低感性和均流性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
1.一种半桥功率半导体模块，其特征在于，包括：位于底层的半导体芯片组；位于顶层的低感复合母排，所述低感复合母排的两侧分别延伸设置有交流接口和正负层接口，所述低感复合母排包括叠层设置的负层母排、正层母排和交流层母排；位于中间层相互并联的若干汇流母排组，其中，各所述汇流母排组的底端和所述半导体芯片组中的相应半导体芯片连接，各所述汇流母排组的顶部汇流端和所述低感复合母排的对应母排连接。
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