[发明专利]一种同或门电路及抗核辐射芯片在审
申请号: | 201710322075.5 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN107040256A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 胡封林;李剑川;罗恒;张圣君;刘森 | 申请(专利权)人: | 长沙中部芯空微电子研究所有限公司 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20;H03K19/003 |
代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)11210 | 代理人: | 陈兴强 |
地址: | 410100 湖南省长沙市长沙经济*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种同或门电路及抗核辐射芯片,其中同或门电路包括第一阈值增强型反相器、第二阈值增强型反相器以及同或门本体,其中,第一阈值增强型反相器的输入端与同或门本体的第一输入端连接,第一阈值增强型反相器的输出端与同或门本体的第二输入端连接,第二阈值增强型反相器的输入端与同或门本体的第三输入端连接,第二阈值增强型反相器的输出端与同或门本体的第四输入端连接,能够使同或门电路具有较强的抗核辐射能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 门电路 核辐射 芯片 | ||
【主权项】:
一种同或门电路,其特征在于,包括:第一阈值增强型反相器(1)、第二阈值增强型反相器(2)以及同或门本体(3),其中,所述第一阈值增强型反相器(1)的输入端与所述同或门本体(3)的第一输入端连接,所述第一阈值增强型反相器(1)的输出端与所述同或门本体(3)的第二输入端连接,所述第二阈值增强型反相器(2)的输入端与所述同或门本体(3)的第三输入端连接,所述第二阈值增强型反相器(2)的输出端与所述同或门本体(3)的第四输入端连接。
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