[发明专利]BiCMOS集成电路器件的制造方法及器件

摘要

本发明提供一个新的低成本高性能BiCMOS集成电路器件的制造方法，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的第一表面上制备第一场效应晶体管以及形成第一双极晶体管的第一基极掺杂区和第一发射极掺杂区；在所述第一衬底的第一表面上形成覆盖第一栅极和第一表面的第一介电质层；提供第二衬底；将第二衬底与第一介质层键合；以第二衬底为底部衬托，第一半导体层厚度减至第二厚度，并形成第六表面；从第六表面注入第一双极晶体管的第一集电极掺杂区；由于从第六表面进行掺杂形成集电极掺杂区，既实现了场效应晶体管和双极晶体管兼容的集成，又形成了底部类似于SOI的介电质绝缘，同时降低了形成BiCMOS器件的难度和成本、提高了BiCMOS的器件性能。

主权项

1.一种BiCMOS集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述BiCMOS集成电路器件包含第一场效应晶体管和第一双极晶体管，所述制造BiCMOS集成电路的方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有平行的第一表面和第二表面，所述第一衬底包括位于所述第一表面下的第一半导体层；在所述第一衬底的第一表面上制备第一场效应晶体管的第一栅极，并利用第一栅极做掩膜向第一半导体层内注入掺杂离子，形成第一场效应晶体管的第一源极掺杂区和第一漏极掺杂区、以及形成第一双极晶体管的第一基极掺杂区和第一发射极掺杂区；在所述第一衬底的第一表面上形成覆盖第一栅极和第一表面的第一介电质层，所述第一介电质层与所述第一衬底背离的表面为第三表面；提供第二衬底，所述第二衬底具有平行的第四表面和第五表面；通过所述第一介电质层的第三表面和第二衬底的第四表面，将第二衬底与第一介质层键合；以第二衬底为底部衬托，通过第一衬底的第二表面减薄第一衬底，使得第一半导体层厚度减至第二厚度，并形成第六表面；从第六表面注入第一双极晶体管的第一集电极掺杂区。