[发明专利]功率半导体芯片，该芯片的光刻版及其曝光方法有效
| 申请号： | 201710323535.6 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107315320B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王梦洁;刘国友;程银华;喻乐贤;陈辉;谭灿健;肖强;罗海辉;黄建伟;覃荣震 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/42;H01L29/739;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 陈晖 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体芯片，该芯片的光刻版及其曝光方法，芯片包括：终端区，及位于终端区内的发射极区和栅极区。发射极区包括外围、主发射极区，栅极区包括栅极条、主栅极区、外围栅极和栅电阻。外围栅极位于主栅极区外周，主栅极区位于外围栅极包围的区域中心，外围栅极通过栅极条、栅电阻与主栅极区相连。外围栅极包括以中心对称和/或轴对称结构分布的断开点，外围栅极包围的区域被栅极条分隔为大小相同的若干个主发射极区。每个主发射极区均通过断开点与位于外围栅极外周的外围发射极区连通。本发明能够解决现有大尺寸芯片制作采用多块版拼接时，光刻版数量多、成本高，容易造成拼接误差，无法适用于复杂结构芯片制备的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 芯片 光刻 及其 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体芯片，其特征在于，芯片(100)包括：终端区(114)，以及位于所述终端区(114)内的发射极区和栅极区；所述发射极区包括外围发射极区(104)和主发射极区(105)，所述栅极区包括栅极条(101)、主栅极区(102)、外围栅极(103)和栅电阻(106)；所述外围栅极(103)位于所述主栅极区(102)的外周，所述主栅极区(102)位于所述外围栅极(103)包围的区域中心，所述外围栅极(103)通过所述栅极条(101)与所述主栅极区(102)相连，所述栅极条(101)上设置有栅电阻(106)；所述外围栅极(103)包括以中心对称和/或轴对称结构分布的断开点(107)，所述外围栅极(103)包围的区域被所述栅极条(101)分隔为大小相同的若干个主发射极区(105)，每个主发射极区(105)均通过所述断开点(107)与位于所述外围栅极(103)外周的外围发射极区(104)连通。
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