[发明专利]一种制备镧钙锰氧纳米线阵列的方法有效
申请号: | 201710323609.6 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107254704B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 陈清明;杨盛安;张辉;刘翔;金菲 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C25D9/04 | 分类号: | C25D9/04;C25D11/12;B82Y40/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开一种制备镧钙锰氧纳米线阵列的方法,属于制备纳米材料技术领域;通过配套降压减薄工艺得到分布间距可控的阳极氧化铝模板之后辅以低压直流择优电沉积方法制备得到分布间距可控的镧钙锰氧纳米线阵列;该工艺突破了现有技术只能制备单一填充纳米线阵列的限制;丰富了镧钙锰氧纳米阵列作为微纳物理基础研究对象的磁学性能表现力,同时拓宽了其作为磁学器件的结构基础和性能基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 镧钙锰氧 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备镧钙锰氧纳米线阵列的方法,其特征在于,具体包括如下步骤:(1)以表面预处理后高光洁镜面铝箔片作阳极,铂电极作为阴极,在0.2~0.4mol/L草酸电解质中,35~50V直流电压下,对铝箔片进行1~3h一次氧化,得到一次氧化过程模板;(2)用质量分数1.5%~2%铬酸和质量分数5%~10%磷酸的混合酸液,在60~80℃下对步骤(1)一次氧化过程模板进行化学腐蚀脱洗1~3h,得到凹坑过程模板,其中铬酸和磷酸的体积比为V铬酸:V磷酸=1:1~1:3;(3)以步骤(2)中凹坑过程模板作阳极,铂电极作为阴极,在0.2~0.4mol/L草酸电解质中,80~120V直流电压下,进行1~2h二次氧化,得到二次氧化过程模板;(4)在0.2~0.4mol/L草酸电解质中,对二次氧化过程模板进行阶梯式降压处理,得到阳极氧化铝模板;(5)用二次蒸馏水对步骤(4)阳极氧化铝模板进行浸泡清洗12‑24h,然后在20‑25℃下干燥;(6)在二次蒸馏水中加入硝酸镧、硝酸钙、硝酸锰、乙二醇和柠檬酸,搅拌溶解后在80~95℃下进行蒸发成胶,得到成胶溶液;(7)浸润过程:将步骤(5)干燥后的阳极氧化铝模板浸泡至步骤(6)的成胶溶液10~30min;(8)以步骤(7)中浸润后的模板作为阴极,以铂电极作为阳极,施加低压直流电进行电输运辅助沉积形成镧钙锰氧纳米线溶胶填充分布的阳极氧化铝模板;(9)对步骤(8)镧钙锰氧纳米线溶胶填充分布的阳极氧化铝模板进行干燥处理得到镧钙锰氧纳米线凝胶填充分布的阳极氧化铝模板,干燥温度为70~140℃,干燥时间为6~12h;(10)对步骤(9)镧钙锰氧纳米线凝胶填充分布的阳极氧化铝模板进行烧结处理得到镧钙锰氧纳米线阵列,烧结温度为500~650℃,烧结时间为5~8h。
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