[发明专利]一种GaAs光电阴极的化学清洗方法在审
| 申请号： | 201710324608.3 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107123582A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张益军;冯琤;张翔;张景智;钱芸生;张俊举 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 吴茂杰 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种GaAs光电阴极的化学清洗方法，包括如下步骤(10)脱脂清洗将GaAs光电阴极置入有机溶剂，进行超声波脱脂清洗；(20)刻蚀清洗将经过脱脂清洗的GaAs光电阴极置入刻蚀液，进行刻蚀清洗；(30)去离子水冲洗将经过刻蚀清洗的GaAs光电阴极用离子水进行冲洗，得到清洁的GaAs光电阴极。本发明的GaAs光电阴极的化学清洗方法，净化效果好，光谱响应高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 光电 阴极 化学 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs光电阴极的化学清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：(10)脱脂清洗：将GaAs光电阴极置入有机溶剂，进行超声波脱脂清洗；(20)刻蚀清洗：将经过脱脂清洗的GaAs光电阴极置入刻蚀液，进行刻蚀清洗；(30)去离子水冲洗：将经过刻蚀清洗的GaAs光电阴极用去离子水进行冲洗，得到清洁的GaAs光电阴极。
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