[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板的制作方法及显示装置有效
| 申请号： | 201710326285.1 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108878536B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 吴绍静;张青;邵霜霜;陈征;崔铮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在基板的第一表面上制作形成栅电极以及覆盖栅电极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上制作形成负性光刻胶层；在基板的第二表面一侧对负性光刻胶层进行曝光，第二表面与第一表面相对；对曝光后的负性光刻胶层进行显影，以将栅电极之上的负性光刻胶层去除，从而将栅电极上的栅极绝缘层暴露；利用喷墨打印的方式在暴露出的栅极绝缘层上制作形成有源层；将剩余的负性光刻胶去除；在有源层上形成彼此间隔的源极和漏极。本发明在不增加掩模板的情况下，可以喷墨印刷出不超过栅电极尺寸的有源层图案，缩小有源层印刷线宽和位置精确度，从而提高薄膜晶体管阵列的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板的第一表面上制作形成栅电极以及覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作形成负性光刻胶层；在所述基板的第二表面一侧对所述负性光刻胶层进行曝光，所述第二表面与所述第一表面相对；对曝光后的负性光刻胶层进行显影，以将所述栅电极之上的负性光刻胶层去除，从而将所述栅电极上的栅极绝缘层暴露；利用喷墨打印的方式在暴露出的栅极绝缘层上制作形成有源层；将剩余的负性光刻胶去除；在所述有源层上形成彼此间隔的源极和漏极。
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