[发明专利]一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器

摘要

一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器，涉及发射激光器。采用垂直内腔接触结构，结构从下到上包括了衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜，所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔，所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区，其中有源区为量子阱内嵌量子点结构。利用垂直谐振腔及量子阱内嵌量子点的有源结构，获得了双波长同时发射的半导体激光器。本发明具有结构简单、集成度高、光束方向集中、发射波长易于控制等特点，在实现多色半导体激光器光源和双波长合成干涉测量等领域中有着广泛的应用前景。

主权项

1.一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器，其特征在于采用垂直内腔接触结构，从下到上包括衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜，所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔，所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区，其中有源区为量子阱内嵌量子点结构；所述量子点和量子阱的材料分别为In_xGa_1‑xN和Al_zIn_yGa_1‑y‑zN，其中，0<x<1，0<y<1，0<z<1，y+z<1，并且x>y；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜由两种不同折射率的介质膜交错叠加而成，每层介质膜的厚度为1/4中心波长，介质膜组合采用TiO₂/SiO₂、Ta₂O₅/SiO₂、Ti₃O₅/SiO₂中的一种。