[发明专利]一种锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜及气敏元件以及其制备方法有效
| 申请号： | 201710327503.3 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107268061B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 赵春霞;徐周;邵林清;陈文;金伟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;B82Y40/00;G01N27/00;G01N33/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜及气敏元件以及其制备方法。本发明是以阳极氧化法原位制备锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜，通过热处理结合阳极氧化将其剥离，并转移至陶瓷管上制作成气敏元件。本发明制备过程简单、成本较低、工艺参数便于控制，制备的锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜结构规整，纳米管尺寸均一，光学带隙降低，气敏性能显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 纳米 阵列 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜，其特征在于由如下步骤得到：1)以钛片为阳极，石墨片为阴极，以乙二醇‑氟化铵‑醋酸锰体系作电解液，在20～40V电压下进行阳极氧化0.5～3h；将钛片表面生成的氧化膜去除后，再放入上述相同的电解液中进行二次阳极氧化反应1～6h，获得生长在钛片上的锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜；将反应完的钛片清洗干净并烘干；2)将烘干的钛片在350～550℃下进行热处理2～5h后，再放入上述步骤1)相同电解液中，在20～40V下进行三次阳极氧化反应10～15h，将锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜从钛片上剥离下来；收集脱落的膜材料，用乙醇清洗干净，烘干，得到锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜。
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