[发明专利]形成电子器件的方法有效
| 申请号： | 201710327713.2 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107369623B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 堀江巧 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种形成电子器件的方法，所述方法包括：提供具有主表面的衬底；蚀刻所述衬底的一部分以限定从所述主表面延伸的沟槽，其中所述沟槽的部分具有沿所述主表面的第一宽度W |
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| 搜索关键词： | 形成 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成电子器件的方法，包括：提供具有主表面的衬底；蚀刻所述衬底的一部分以限定从所述主表面延伸的沟槽，其中所述沟槽的部分具有沿所述主表面的第一宽度以及在所述沟槽的所述部分的底部处的第二宽度，并且其中所述第一宽度大于所述第二宽度；沿所述沟槽的所述部分的侧表面沉积保护层，其中所述保护层与所述沟槽的基部间隔开；在沉积所述保护层后，蚀刻所述衬底以延伸所述沟槽的深度；以及移除所述保护层以暴露形成所述沟槽的内壁的所述衬底的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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