[发明专利]一种钙钛矿发光二极管的硅基微显示器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710328445.6 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107146854A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 晋芳铭;赵铮涛;李文连;任清江;王仕伟 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 合肥鼎途知识产权代理事务所(普通合伙)34122 | 代理人： | 王学勇,李兵 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市三山区芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的钙钛矿发光二极管的硅基微显示器件，包括硅基板、钙钛矿发光二极管微显示器、密封层和玻璃盖板，所述钙钛矿发光二极管微显示器形成在硅基板上，所述钙钛矿发光二极管微显示器包括阳极层，有机功能层和阴极层，所述有机功能层包括空穴注入层、钙钛矿发光层和电子注入层，所述钙钛矿发光层采用的材料选自CH3NH3PbBr3、CsPbBr3、CH3NH3PbClxBr3‑x、CsPbClxBr3‑x，钙钛矿发光层的厚度在50~300nm。本发明提出的钙钛矿发光二极管的硅基微显示器件制备方法，工艺简单、成本低廉，制备出来的微显示器件结构发光效率和分辨率高，像素点尺寸小于3.5微米，像素达到1280×720。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 发光二极管 硅基微 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钙钛矿发光二极管的硅基微显示器件，其特征在于，包括：硅基板、钙钛矿发光二极管微显示器、密封层和玻璃盖板，所述钙钛矿发光二极管微显示器形成在硅基板上，所述钙钛矿发光二极管微显示器包括阳极层、有机功能层和阴极层，所述有机功能层包括空穴注入层、钙钛矿发光层和电子注入层，所述钙钛矿发光层采用的材料选自CH3NH3PbBr3、CsPbBr3、CH3NH3PbClxBr3‑x、CsPbClxBr3‑x，钙钛矿发光层的厚度在50~300nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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