[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710328760.9 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108878526B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上设置有鳍部，相邻鳍部之间具有鳍部间隙；在所述鳍部上方设置硬掩模；在所述硬掩模上方形成防穿通层，所述防穿通层中有防穿通离子；形成防扩散层，所述防扩散层的高度低于所述鳍部的高度，向所述鳍部间隙中注入防扩散离子，所述防扩散离子能够阻止所述防穿通离子向鳍部顶部扩散；去除所述硬掩模；进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上设置有鳍部，相邻鳍部之间具有鳍部间隙；在所述鳍部上方设置硬掩模；在所述硬掩模上方形成防穿通层，所述防穿通层中有防穿通离子；形成防扩散层，所述防扩散层的高度低于所述鳍部的高度，向所述鳍部间隙中注入防扩散离子，所述防扩散离子能够阻止所述防穿通离子向鳍部顶部扩散；去除所述硬掩模；进行退火。
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