[发明专利]一种LED外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710329563.9 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107170864A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 肖稼凯;李述体 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 510006 广东省广州市天河区中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电材料制备领域，特别是一种LED外延片，包括依次叠置的衬底、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、铝镓氮/氮化镓多量子阱层、电子阻挡层、P型铝镓氮层、P型接触层、P型电极；所述的P型铝镓氮层为Mg掺杂的多层极化诱导AlxGa1‑xN层，x＝0.3→0.05。本发明的目的在于解决现有技术中由LED中由于自发和压电极化引起的电子泄漏、辐射复合几率较低导致的发光效率低、内量子效率低等技术问题，本发明具有结构简单、工艺简便，生产方便，适于工业化生产的需要的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延片，其特征在于：包括依次叠置的衬底、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、铝镓氮/氮化镓多量子阱层、电子阻挡层、P型铝镓氮层、P型接触层、P型电极；所述的P型铝镓氮层为Mg掺杂的多层极化诱导AlxGa1‑xN层，x＝0.3→0.05。
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