[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置有效
| 申请号： | 201710330483.5 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106935659B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈江博;宋泳锡;孙宏达;王国英;刘威 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;李峥 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置。所述薄膜晶体管包括：设置在衬底基板上的有源层和设置在所述有源层上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：设置在所述有源层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板上的有源层和设置在所述有源层上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：设置在所述有源层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子。
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