[发明专利]像素结构、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201710330628.1 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107425013B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 刘庭良;曹中林;李挺;臧鹏程;黄炜赟;孟佳 | 申请(专利权)人: | 成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种像素结构、阵列基板和显示装置,属于显示器领域。所述像素结构包括第一组薄膜晶体管、第二组薄膜晶体管和像素电极,第一组薄膜晶体管和第二组薄膜晶体管均包括至少两个薄膜晶体管,第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极与同一根数据线连接,第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极连接,第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与像素电极连接,第一组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极和第二组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极与同一根栅线连接。通过将原来串连的两个TFT改为串连的两组TFT,避免了现有技术中半导体层中形成沟道的区域断裂导致整个像素无法正常工作的问题。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,所述像素结构包括第一组薄膜晶体管、第二组薄膜晶体管和像素电极,所述第一组薄膜晶体管和所述第二组薄膜晶体管均包括至少两个薄膜晶体管,所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极与同一根数据线连接,所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极连接,所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接,所述第一组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极和所述第二组薄膜晶体管的所有薄膜晶体管的栅极与同一根栅线连接;所述第一组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的漏极与所述第二组薄膜晶体管中的所有薄膜晶体管的源极为一体结构,所述一体结构为圆形电极或者多边形电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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