[发明专利]间隔物整合的方法及所产生的装置有效
| 申请号： | 201710331380.0 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107425058B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 乔治·罗伯特·姆芬格;R·施波雷尔;R·J·卡特;彼特·巴尔斯;H·J·特厄斯;J·亨切尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及间隔物整合的方法及所产生的装置，所提供的是一种就SG与EG结构以相异宽度形成匹配的PFET/NFET间隔物的方法、及一种就SG NFET与SG PFET结构及PFET/NFET EG结构形成相异宽度氮化物间隔物的方法、以及其各别产生的装置。具体实施例包括提供PFET SG与EG结构及NFET SG与EG结构；在衬底上方形成第一氮化物层；形成氧化物衬垫；在PFET及NFET EG结构的侧壁上形成第二氮化物层；移除第一氮化物层及氧化物衬垫在PFET SG与EG结构上方的水平部分；在各PFET SG与EG结构的对立侧上形成RSD结构；移除第一氮化物层及氧化物衬垫在NFET SG与EG结构上方的水平部分；以及在各NFET SG与EG结构的对立侧上形成RSD结构。 | ||
| 搜索关键词： | 间隔 整合 方法 产生 装置 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：在衬底上提供p型场效应晶体管(PFET)核心装置(SG)与I/O装置(EG)栅极结构、n型场效应晶体管(NFET)SG与EG栅极结构，该PFET及NFET结构侧向隔开；在该衬底上方形成第一保形氮化物层；在该衬底上方形成氧化物衬垫；在该PFET及NFET EG栅极结构的侧壁上形成第二保形氮化物层；移除该第一氮化物层及该氧化物衬垫在该PFET SG与EG栅极结构及衬底上方的水平部分；在各该PFET SG与EG栅极结构的对立侧上形成隆起源极/漏极(RSD)结构；移除该第一氮化物层及该氧化物衬垫在该NFET SG与EG栅极结构及衬底上方的水平部分；以及在各该NFET SG与EG栅极结构的对立侧上形成RSD结构。
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