[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管的膜层结构中通过设置具有注入区和氧化区的浮栅结构，且有源层与浮栅之间具有很薄的注入层，可以使得有源层在漏极端通过注入区实现热电子注入到浮栅结构，从而实现薄膜晶体管的阈值电压正漂，以改善薄膜晶体管阈值电压负漂带来的问题；同时，沉积的注入层还能够减少有源层界缺陷，提高薄膜晶体管的开关特性；另外，还可以通过对控制栅加负栅压实现浮栅上存储的电荷清零，将薄膜晶体管初始化，从而保证每次写入数据的准确性。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：位于衬底基板之上的控制栅、浮栅、注入层、有源层、栅极，以及相对而置且分别与所述有源层电性相连的源极和漏极；其中，所述注入层位于所述浮栅与所述有源层之间；所述有源层位于所述控制栅与所述栅极之间；所述浮栅位于所述控制栅与所述有源层之间，且所述浮栅包括注入区和氧化区；其中，所述注入区与所述氧化区均包括一个端部和一个延伸部；所述注入区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述漏极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化区的端部在所述衬底基板上的正投影与所述有源层和所述源极电性相连的区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域；所述氧化区的延伸部位于所述注入区的延伸部面向所述有源层的一面，且所述氧化区的延伸部的厚度大于所述注入区的延伸部的厚度；所述注入层的厚度不超过50纳米。