[发明专利]金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710331449.X | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107104141B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;王艳丰;王玮;常晓慧;张景文;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其制备方法；该场效应晶体管，包含金刚石衬底、背栅极、源极、栅引出电极、漏极和单晶金刚石外延薄膜；金刚石衬底上设有背栅极，背栅极上设有栅引出电极；金刚石衬底的上表面覆盖一层单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜将背栅极包裹于其中，栅引出电极的上部伸出单晶金刚石外延薄膜的顶部；单晶金刚石外延薄膜上还设有源极和漏极。本发明采用背栅型设计，将导电部分全部裸露出来，这样即使在长期使用或是高温过冲条件下造成氢终端导电沟道退化甚至失效的情况下，可以将器件置于氢等离子体环境中，使得导电沟道表面区域得到重新氢化，恢复导电性能，实现场效应晶体管的重复使用。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 基背栅型氢 终端 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管，其特征在于，包含金刚石衬底(1)、背栅极(2)、源极(3)、栅引出电极(4)、漏极(5)和单晶金刚石外延薄膜(6)；金刚石衬底(1)上设有背栅极(2)，背栅极(2)上设有栅引出电极(4)；金刚石衬底(1)的上表面覆盖一层单晶金刚石外延薄膜(6)，单晶金刚石外延薄膜(6)将背栅极(2)包裹于其中，栅引出电极(4)的上部伸出单晶金刚石外延薄膜(6)的顶部；单晶金刚石外延薄膜(6)上还设有源极(3)和漏极(5)。
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