[发明专利]一种屏蔽极低频磁场的正方形截面金属屏蔽槽设计方法有效
| 申请号： | 201710333857.9 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107135636B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 辛亮;戴晓敏;戴明秋 | 申请（专利权）人： | 国网上海市电力公司;上海高试电气科技有限公司;上海交通大学 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 翁惠瑜 |
| 地址： | 200002 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种屏蔽极低频磁场的正方形截面金属屏蔽槽设计方法，该方法将正方形截面金属屏蔽槽等效为同材料等周长的圆截面金属屏蔽管，采用轴对称屏蔽管的极低频磁场屏蔽率简化估算所述正方形截面金属屏蔽槽的极低频磁场屏蔽率，获取符合设定极低频磁场屏蔽率的正方形截面金属屏蔽槽的材料与尺寸。与现有技术相比，本发明具有提高正方形截面屏蔽槽设计效率等优点，并可使金属屏蔽槽的实际屏蔽率和设计屏蔽率之间的偏差达到5％以内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 低频 磁场 正方形 截面 金属 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种屏蔽极低频磁场的正方形截面金属屏蔽槽设计方法，其特征在于，该方法将正方形截面金属屏蔽槽等效为同材料等周长的圆截面金属屏蔽管，采用轴对称屏蔽管的极低频磁场屏蔽率简化估算所述正方形截面金属屏蔽槽的极低频磁场屏蔽率，获取符合设定极低频磁场屏蔽率的正方形截面金属屏蔽槽的材料与尺寸，该方法包括以下步骤：A)获取设定极低频磁场屏蔽率St；B)根据被屏蔽极低频磁场源的布置状态及强度绝缘要求初始化正方形截面金属屏蔽槽的材料和尺寸；C)将步骤B)获得的正方形截面金属屏蔽槽等效为同材料等周长的圆截面金属屏蔽管；D)计算所述圆截面金属屏蔽管的极低频磁场屏蔽率S’，以该极低频磁场屏蔽率S’作为所述正方形截面金属屏蔽槽的极低频磁场等效屏蔽率S；E)判断所述极低频磁场等效屏蔽率S是否满足S≤St，若是，则保存当前的材料和尺寸，设计结束，若否，则改变正方形截面金属屏蔽槽的材料和尺寸后，返回步骤C)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国网上海市电力公司;上海高试电气科技有限公司;上海交通大学，未经国网上海市电力公司;上海高试电气科技有限公司;上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710333857.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
