[发明专利]铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用有效
| 申请号： | 201710333963.7 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107365996B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 田玹守;金相泰;林大成;崔容硕 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;钟海胜 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用。上述铜系金属膜的蚀刻液组合物的特征在于，相对于组合物总重量，包含过氧化氢5～30重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸盐化合物0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％、腐蚀电位调节剂0.5～10.0重量％及余量的水，上述组合物中测定的钼或钼合金腐蚀电位为‑0.8V～‑0.2V。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 蚀刻 组合 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成栅极配线的步骤；在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤，所述在基板上形成栅极配线的步骤包括：在基板上形成铜系金属膜，并以铜系金属膜的蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，所述在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括：形成铜系金属膜，并以铜系金属膜的蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含：过氧化氢5～30重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸盐化合物0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％、腐蚀电位调节剂0.5～10.0重量％及余量的水，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物中测定的钼或钼合金腐蚀电位为‑0.8V～‑0.2V。
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