[发明专利]一种具有非极性吸收层的紫外探测器有效
申请号: | 201710338137.1 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN107240615B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 张雄;代倩;吴自力;崔一平 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/109 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 王安琪 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器,包括:自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱吸收分离层、非掺杂AlzGa1‑zN倍增层、p型AlGaN层,在p型AlGaN层上设置的p型欧姆电极,在n型AlGaN层上设置的n型欧姆电极,其中0 |
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搜索关键词: | 一种 具有 极性 吸收 紫外 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种具有非极性吸收层的紫外探测器,其特征在于,包括:自下而上依次设置的衬底(101)、AlN中间层(102)、非掺杂AlGaN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱吸收分离层(105)、非掺杂AlzGa1‑zN倍增层(106)、p型AlGaN层(107),在p型AlGaN层(107)上设置的p型欧姆电极108,在n型AlGaN层(104)上设置的n型欧姆电极(109),其中0
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的