[发明专利]一种具有非极性吸收层的紫外探测器有效

专利信息
申请号: 201710338137.1 申请日: 2017-05-15
公开(公告)号: CN107240615B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 张雄;代倩;吴自力;崔一平 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/109
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 王安琪
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器,包括:自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱吸收分离层、非掺杂AlzGa1‑zN倍增层、p型AlGaN层,在p型AlGaN层上设置的p型欧姆电极,在n型AlGaN层上设置的n型欧姆电极,其中0xGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱作为紫外探测器的吸收层,由于量子效应的作用,因此可以进一步提高紫外探测器对紫外光的吸收系数和横向载流子迁移率,对提高紫外探测器的量子效率和灵敏度具有重大意义。
搜索关键词: 一种 具有 极性 吸收 紫外 探测器
【主权项】:
1.一种具有非极性吸收层的紫外探测器,其特征在于,包括:自下而上依次设置的衬底(101)、AlN中间层(102)、非掺杂AlGaN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱吸收分离层(105)、非掺杂AlzGa1‑zN倍增层(106)、p型AlGaN层(107),在p型AlGaN层(107)上设置的p型欧姆电极108,在n型AlGaN层(104)上设置的n型欧姆电极(109),其中0
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