[发明专利]硅基光波导结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710338188.4 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108873167B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 盛振;武爱民;仇超;赵瑛璇;高腾;甘甫烷;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新微科技服务有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅基光波导结构及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底、埋氧层以及顶层硅；2）刻蚀所述顶层硅以形成带状硅层；3）采用氧化工艺对所述带状硅层进行氧化，以形成二氧化硅层包覆的亚微米量级的硅波导芯层；所述硅波导芯层的折射率高于周围的二氧化硅层，使得光信号限制于硅波导芯层中传输，形成硅基光波导结构。本发明通过高温氧化的方式来减小硅波导芯层的线宽，达到亚微米尺度，从而避免使用昂贵的高精度步进式光刻设备；同时，采用的氧化工艺有助于减小硅波导侧壁的粗糙度，从而降低传输损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基光 波导 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基光波导结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1)提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底、埋氧层以及顶层硅；2)刻蚀所述顶层硅以形成带状硅层；3)采用氧化工艺对所述带状硅层进行氧化，以形成二氧化硅层包覆的亚微米量级的硅波导芯层；所述硅波导芯层的折射率高于周围的二氧化硅层，使得光信号限制于硅波导芯层中传输，形成硅基光波导结构。
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