[发明专利]半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法有效
| 申请号： | 201710338634.1 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107255572B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 郭兆满;王震;钱华;魏加平 | 申请（专利权）人： | 宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/04 | 分类号： | G01N1/04;G01R31/26 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 彭永念 |
| 地址： | 443007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法，从硅锭的顶面将其划分成6×6的阵列，形成36个硅块，将角部各硅块设为A区，边部各硅块设为B区，中间部分的硅块设为C区；并根据长晶方向对各硅块依次从1‑36进行编号；使得每个硅块形成一个区域与编号组合成的代码；36个硅块共围合成3个封闭的方形，最外层方形从A1沿顺时针方向开始抽样，中间层的方形从C8开始；内层方形从C15开始；抽样时每两个硅块一组，选择其中一个硅块为待测硅块，检测的面应为同一组中与另一硅块紧邻的面；通过上述操作，完成抽样。该抽样能够真实有效的反映出每个硅块的少子寿命值及其低少子的去除长度，保证硅片的质量稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 熔铸 工艺 中硅锭 少子 寿命 抽样 方法 | ||
【主权项】：
半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法，其特征在于：1）从硅锭的顶面将其划分成6×6的阵列，形成36个硅块，将角部各硅块设为A区，边部各硅块设为B区，中间部分的硅块设为C区；并根据长晶方向对各硅块依次从1‑36进行编号；使得每个硅块形成一个区域与编号组合成的代码；2）36个硅块共围合成3个封闭的方形，最外层方形从A1沿顺时针方向开始抽样，中间层的方形从C8开始；内层方形从C15开始；抽样时每两个硅块一组，选择其中一个硅块为待测硅块，检测的面应为同一组中与另一硅块紧邻的面；通过上述操作，完成抽样。
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