[发明专利]一种八英寸半导体硅片细线细砂化切割工艺在审
| 申请号： | 201710339464.9 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107030908A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈桐;郭红慧;赵勇;王帅;韩木迪;刘建伟;王彦君;李立伟 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种八英寸半导体硅片细线细砂化切割工艺，包括①多线切割机采用0.12mm钢线、2500#绿碳化硅进行多线切割；②进刀位置为0‑100时，进刀速度0.45mm/min、钢丝速度882m/h、进给距离195m、返回距离155m、砂浆温度23℃、砂浆流量80L/min、分割数0；③进刀位置为100‑200时，进刀速度0.375 mm/min、钢丝速度882m/h、进给距离195m、返回距离155m、砂浆温度23℃、砂浆流量80L/min、分割数6；④进刀位置为200时，进刀速度0.41 mm/min、钢丝速度882m/h、进给距离195m、返回距离155m、砂浆温度23℃、砂浆流量80L/min、分割数6。技术效果是满足加工生产要求，出片率提升2pcs/kg，设备月产能提升10%，表面粗糙度提升30%，切片成本同比降低12%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 英寸 半导体 硅片 细线 细砂 切割 工艺 | ||
【主权项】：
一种八英寸半导体硅片细线细砂化切割工艺，其特征在于：工艺分以下步骤，①多线切割机采用0.12mm钢线、2500#绿碳化硅进行多线切割；②进刀位置为0‑100时，进刀速度0.45mm/min、钢丝速度882m/h、进给距离195m、返回距离155m、砂浆温度23℃、砂浆流量80L/min、分割数0；③进刀位置为100‑200时，进刀速度0.375 mm/min、钢丝速度882m/h、进给距离195m、返回距离155m、砂浆温度23℃、砂浆流量80L/min、分割数6；④进刀位置为200时，进刀速度0.41 mm/min、钢丝速度882m/h、进给距离195m、返回距离155m、砂浆温度23℃、砂浆流量80L/min、分割数6。
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