[发明专利]具有单脉冲雪崩能量的高压半导体元件与其制作方法

摘要

本发明公开一种高压半导体元件与其制作方法，该高压半导体元件具有良好的单脉冲雪崩能量。该高压半导体元件包含有一主要高压开关元件以及一电流检测元件。该主要高压开关元件包含有数个开关单元，排列为一第一矩阵。每个开关单元具有一开关单元宽度。该电流检测元件包含有数个检测单元，排列为一第二矩阵。每个检测单元具有一检测单元宽度，大于该开关单元宽度。

主权项

1.一种高压半导体元件，具有良好的单脉冲雪崩能量，包含有：主要高压开关元件，包含有：数个开关单元(switch cell)，排列为一第一矩阵，其中，每个开关单元具有一开关单元宽度(switch cell width)；以及电流检测元件，包含有：数个检测单元(sense cell)，排列为一第二矩阵，其中，每个检测单元具有一检测单元宽度(sense cell width)，大于该主要单元宽度。