[发明专利]存储器及其形成方法、半导体器件

摘要

本发明提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件，利用所形成的位线和位线接触，在其侧壁上形成第一隔离侧墙；并使相邻的两条所述位线中，最相邻的两个所述位线接触上的第一隔离侧墙相互连接，以构成一瓶颈封闭，通过隔离侧墙和瓶颈封闭所构成的开口能够自对准的定义出存储节点接触的形成区域，因此，在形成存储节点接触时仅需在开口中填充接触材料即可，而不需要利用光刻工艺。从而，可减少光刻工艺的执行次数，有效简化了工艺流程，并且还可避免光刻工艺窗口的限制，有利于降低存储器的制备难度。

主权项

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上定义有多个相对第一方向倾斜延伸的有源区，所述有源区上形成有位线接触区和位于所述位线接触区两侧的存储节点接触区，多个所述有源区呈阵列式排布且多个所述位线接触区交错排布；形成位线接触在所述位线接触区上，以及形成多条位线在所述衬底上，所述位线沿所述第一方向延伸，在同一直线上排布的所述位线接触连接至同一位线上，所述位线和所述位线接触的高度大于所述衬底的高度，以使所述位线和所述位线接触共同界定出在所述衬底的表面上的多个第一开口，所述位线和所述位线接触的侧壁的组合构成所述第一开口的侧壁；形成第一隔离侧墙在所述第一开口的侧壁上，在两条相邻的所述位线之间，相邻的所述位线接触的侧壁的所述第一隔离侧墙相互连接，以构成瓶颈封闭，所述瓶颈封闭和在相邻的所述位线的侧壁上的所述第一隔离侧墙共同界定出第二开口，所述第二开口限定在所述第一开口中并暴露出所述存储节点接触区；以及，填充接触材料在所述第二开口中，以构成存储节点接触。