[发明专利]硅基光波导结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710340735.2 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108873161B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 盛振;武爱民;仇超;赵瑛璇;高腾;甘甫烷;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新微科技服务有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/136 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅基光波导结构及其制作方法，包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底、埋氧层以及顶层硅；于所述顶层硅表面形成间隔排列的两个带状金属层；于所述顶层硅及所述两个带状金属层上形成上包层，且所述上包层的折射率小于所述顶层硅的折射率。本发明在纵向上，高折射率的顶层硅夹于低折射率的埋氧层与上包层之间，形成纵向的光场限制；在横向上，带状金属层区域具有强烈的光吸收，其等效折射率低于两个带状金属层之间的区域，形成横向的光场限制，最终实现纵向及横向上的光场限制，形成硅基光波导结构，可有效提高光波导的性能。本发明不需要对顶层硅材料进行干法刻蚀，大大降低了工艺难度，有利于设备及工艺成本的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基光 波导 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基光波导结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤1)，提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底、埋氧层以及顶层硅；步骤2)，于所述顶层硅表面形成间隔排列的两个带状金属层；步骤3)，于所述顶层硅及所述两个带状金属层上形成上包层，且所述上包层的折射率小于所述顶层硅的折射率；在纵向上，高折射率的顶层硅夹于低折射率的埋氧层与上包层之间，形成纵向的光场限制；在横向上，带状金属层区域具有强烈的光吸收，其等效折射率低于两个带状金属层之间的区域，形成横向的光场限制，最终实现纵向及横向上的光场限制，形成硅基光波导结构。
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