[发明专利]存储器系统、存储器阵列及其读和编程操作方法有效
| 申请号： | 201710340957.4 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107221350B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器系统、存储器阵列及其读和编程操作方法，存储器阵列包括呈阵列排布的闪存单元；每一闪存单元包括N个分栅闪存单元，每一分栅闪存单元具有源极、漏极、字线栅、第一和第二控制栅；N个分栅闪存单元的第一控制栅均连接第一控制栅线，N个分栅闪存单元的第二控制栅均连接第二控制栅线，N个分栅闪存单元的字线栅均连接字线；N个分栅闪存单元中的第i个分栅闪存单元的漏极经由接触孔连接第i位线，第i个分栅闪存单元的源极经由接触孔连接第i+1位线，第j个分栅闪存单元的源极经由接触孔连接第j位线，第j个分栅闪存单元的漏极经由接触孔连接第j+1位线；N≥3且为正整数，i为奇数，j为偶数。本发明方案可降低存储器阵列的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 系统 阵列 及其 编程 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器阵列，包括呈阵列排布的闪存单元；其特征在于，每一所述闪存单元包括N个分栅闪存单元，每一分栅闪存单元具有源极、漏极、第一控制栅、字线栅和第二控制栅；所述N个分栅闪存单元的第一控制栅均连接第一控制栅线，所述N个分栅闪存单元的第二控制栅均连接第二控制栅线，所述N个分栅闪存单元的字线栅均连接字线；所述N个分栅闪存单元中的第i个分栅闪存单元的漏极经由接触孔连接第i位线，第i个分栅闪存单元的源极经由接触孔连接第i+1位线，第j个分栅闪存单元的源极经由接触孔连接第j位线，第j个分栅闪存单元的漏极经由接触孔连接第j+1位线；其中，N为大于等于3的正整数，i为奇数，j为偶数。
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