[发明专利]形成取代接触窗的方法及导电结构

摘要

本揭露描述一种形成取代接触窗的方法。举例而言，取代接触窗可包含具有一或多个第一侧壁表面及顶表面的金属。形成第一介电质，其中第一介电质是邻接金属的一或多个第一侧壁表面。形成第二介电质在第一介电质及金属的顶表面上。形成开口在第二介电质内。金属氧化物结构可选择性地成长在金属的顶表面上，其中金属氧化物结构具有一或多个第二侧壁表面。形成一或多个间隙壁，其中前述间隙壁是邻接金属氧化物结构的一或多个第二侧壁表面。再者，移除金属氧化物结构。

主权项

1.一种形成取代接触窗的方法，其特征在于，该方法包含：形成一第一金属在一第一介电质内，其中该第一金属包含一顶表面，该顶表面具有一第一宽度；形成一金属氧化物结构在该第一金属的该顶表面上，其中该金属氧化物结构具有一或多个侧壁表面；形成一或多个间隙壁，其中该一或多个间隙壁邻接该金属氧化物结构的该一或多个侧壁表面；形成一第二介电质，其中该第二介电质邻接该一或多个间隙壁，以覆盖该第一介电质的多个暴露部分；形成一开口在该金属氧化物结构内，其中该开口包含一第二宽度，且该第二宽度等于该第一宽度。