[发明专利]一种高密度、高稳定性的核酸芯片及其制备方法有效
申请号: | 201710342512.X | 申请日: | 2017-05-16 |
公开(公告)号: | CN107227344B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 赵柏闻;李晓霖;沈广强 | 申请(专利权)人: | 北京量化健康科技有限公司 |
主分类号: | C12Q1/6806 | 分类号: | C12Q1/6806;C12Q1/6876;C40B50/18 |
代理公司: | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人: | 蔡伦;杨巍 |
地址: | 102200 北京市昌平区科*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及基因芯片技术领域,公开了一种高密度、高稳定性的核酸芯片的制备方法,包括(1)将硅基固相基底羟基化,得到羟基化的固相基底;(2)将所述羟基化的固相基底与第一氨基衍生试剂进行偶联,得到氨基化的固相基底;(3)将所述氨基化的固相基底与氯修饰试剂在4℃左右反应,得到偶联活性基团氯的固相基底;(4)将步骤(3)得到的固相基底与第二氨基衍生试剂在室温下反应;(5)将步骤(4)得到的固相基底与氯修饰试剂在4℃左右反应;(6)重复步骤(4)、(5)一次或多次;(7)将氨基修饰的探针与步骤(6)得到的固相基底在65℃左右进行反应获得核酸芯片。本发明还提供了本发明的方法制备的用于核酸芯片的片基和核酸芯片。 | ||
搜索关键词: | 一种 高密度 稳定性 核酸 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高密度、高稳定性的核酸芯片的制备方法,所述方法包括步骤:(1)将硅基固相基底羟基化,得到羟基化的固相基底;(2)将所述羟基化的固相基底与γ‑氨丙基三乙氧基硅烷进行偶联,得到氨基化的固相基底;(3)将所述氨基化的固相基底与三聚氰氯在‑2℃至6℃下反应,得到偶联活性基团氯的固相基底;(4)将步骤(3)得到的固相基底与聚乙烯亚胺在室温下反应;(5)将步骤(4)得到的固相基底与三聚氰氯在‑2℃至6℃下反应;(6)重复步骤(4)、(5)一次或多次;(7)将氨基修饰的探针与步骤(6)得到的固相基底在60℃至70℃下进行反应获得核酸芯片。
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