[发明专利]封装件结构及其形成方法

摘要

凸块下冶金(UBM)和再分布层(RDL)布线结构包括形成在管芯上方的RDL。RDL包括第一导电部分和第二导电部分。在RDL中第一导电部分和第二导电部分处于相同水平。RDL的第一导电部分通过RDL的绝缘材料与RDL的第二导电部分分离。UBM层形成在RDL上方。UBM层包括导电UBM迹线和导电UBM焊盘。UBM迹线将RDL的第一导电部分电连接至RDL的第二导电部分。UBM焊盘电连接至RDL的第二导电部分。导电连接器形成在UBM焊盘上方并且电连接至UBM焊盘。本发明实施例提供一种形成封装件的方法。

主权项

一种形成封装件结构的方法，包括：在第一管芯的第一侧上方形成再分布层(RDL)，所述第一管芯具有与所述第一侧相对的第二侧，所述再分布层包括第一部分和第二部分，所述第一部分通过所述再分布层的绝缘材料与所述第二部分分离开，在所述再分布层中所述第一部分和所述第二部分处于相同水平；在所述再分布层上方形成凸块下冶金(UBM)，所述凸块下冶金层包括凸块下冶金迹线和凸块下冶金焊盘，所述凸块下冶金迹线将所述第一部分电连接至所述第二部分，所述凸块下冶金焊盘电连接至所述第二部分；以及在所述凸块下冶金焊盘上方形成第一导电连接器并且所述第一导电连接器电连接至所述凸块下冶金焊盘。