[发明专利]一种基于拟卤素诱导的二维钙钛矿电存储器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于拟卤素诱导的二维钙钛矿(CH₃NH₃)₂PbI₂(SCN)₂的电存储器件及其制备方法；制备包括以下步骤：将甲基碘化胺溶于DMF溶剂中，然后向溶液中加入硫氰酸铅，充分震荡后制备成黄色的钙钛矿溶液；将钙钛矿溶液涂于基底上，制备活性层；然后在活性层上制备电极，得到基于拟卤素诱导的二维钙钛矿(CH₃NH₃)₂PbI₂(SCN)₂的电存储器件。本发明利用有机胺盐和无机金属化合物通过配位作用形成拟卤素诱导的二维钙钛矿材料，制备成三明治结构的有机电存储器件，成功实现了有机电存储行为，其制备过程简单，三进制电存储行为产率高；因此本发明还公开了上述二维钙钛矿材料在制备电存储器件中的应用。

主权项

1.一种拟卤素诱导的二维钙钛矿电存储器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）在氮气保护下，将635.8 mg甲基碘化胺溶解于2 mL DMF中，然后向甲基碘化胺溶液中加入647.9 mg硫氰酸铅，震荡获得黄色的(CH₃NH₃)₂PbI₂(SCN)₂溶液；/n（2）在超声波清洗仪中，依次用去离子水、丙酮、无水乙醇清洗ITO玻璃基底；通过旋涂法将(CH₃NH₃)₂PbI₂(SCN)₂溶液旋涂到ITO玻璃基底上，形成厚度为250 nm的活性层，然后置于氮气保护的手套箱中自然干燥，得到三进制电存储器件用存储部件；旋涂条件如下：溶液滴加于基底上浸润60 s，两段转速分别为：1000 r/min，时间为20 s，3000 r/min, 时间为60 s；将铝电极蒸镀在活性层上，直至铝电极厚度达到100 nm，得到基于拟卤素诱导的二维钙钛矿电存储器件；蒸镀条件如下：在5×10^-4 Pa真空条件下，蒸镀的速率为2 Å /s；所述三进制电存储器件的两个开启电压分别是1.59V和3.20V。/n