[发明专利]形成金属内连线的方法和使用其制造半导体装置的方法

摘要

本发明揭示一种形成金属内连线的方法和使用其制造半导体装置的方法，所述形成金属内连线的方法包含：沉积低介电常数介电层、在所述低介电常数介电层中形成沟槽、在所述沟槽中形成势垒层、在所述势垒层上填充金属、使所述金属平坦化和在经平坦化的所述金属上形成罩盖层，其中所述罩盖层包含至少两个层。本揭示的半导体装置中的罩盖层具有更薄的厚度且具有优异的密封性质。

主权项

1.一种形成金属内连线的方法，其特征在于，所述方法包括：沉积低介电常数介电层；在所述低介电常数介电层中形成沟槽；在所述沟槽中形成势垒层；在所述势垒层上填充金属；使所述金属平坦化；以及在经平坦化的所述金属上形成罩盖层，其中所述罩盖层包括至少两个层且具有等于或小于的厚度，其中形成所述罩盖层包括：沉积第一氮化物层，包括通过使用等离子增强型原子层沉积方法形成氮化铝层；以及沉积第二氮化物层，包括通过使用脉冲式等离子增强型化学气相沉积方法形成氮化硅层，其中所述氮化铝层的厚度对所述氮化硅层的厚度的比率范围为从1:1.5到1:2，其中在沉积所述氮化铝层的期间供应的等离子的功率对在沉积所述氮化硅层的期间供应的等离子的功率的比率范围为从10:1到8:1。