[发明专利]一种脊状LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201710346428.5 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107123711B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市长方集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种脊状LED及其制备方法。其中，所述制备方法包括：选取SOI衬底；利用CVD工艺在SOI衬底表面生长Ge外延层；利用CVD工艺在Ge外延层表面生长氧化层；利用LRC工艺晶化Ge外延层形成改性Ge外延层；利用干法刻蚀工艺刻蚀氧化层；在改性Ge外延层表面生长本征Ge层；选择性刻蚀本征Ge层形成脊型结构；在脊型结构的两侧分别注入P离子和B离子形成N型Ge区域和P型Ge区域；制备金属接触电极以完成脊状LED的制备；本发明利用激光再晶化工艺，在SOI衬底上制备位错密度低Ge外延层，并制备高质量直接带隙Ge外延层，然后实现一种脊状LED及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种脊状LED的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取SOI衬底；(b)利用CVD工艺在所述SOI衬底表面生长Ge外延层；(c)利用CVD工艺在所述Ge外延层表面生长氧化层；(d)利用LRC工艺晶化所述Ge外延层形成改性Ge外延层；(e)利用干法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层；(f)利用CVD工艺在所述改性Ge外延层表面生长本征Ge层；(g)选择性刻蚀所述本征Ge层形成脊型结构；(h)在所述脊型结构的两侧分别注入P离子和B离子形成N型Ge区域和P型Ge区域；(i)制备金属接触电极以完成所述脊状LED的制备。
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