[发明专利]切割集成电路晶片的改善方法在审
| 申请号： | 201710346653.9 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107403722A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 入口将一 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及切割集成电路晶片的改进的方法。一种切割集成电路晶片(104)的方法通过从所述晶片的背侧部分地锯切刻划道(132)且接着从所述晶片的前侧完成锯切所述刻划道(图6C)来实现。一种切割集成电路晶片(120)的方法通过在从所述晶片的背侧部分地锯切(图7C)刻划道(132)之前将所述晶片进行背面研磨(图7A)且接着从所述晶片的前侧完成锯切所述刻划道(图7E)来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 集成电路 晶片 改善 方法 | ||
【主权项】：
一种用于切割集成电路晶片的方法，其包括：将第一带施加到所述集成电路晶片的前侧；使用具有第一刀片厚度的第一切割刀片从所述晶片的背侧部分地锯切刻划道；移除所述第一带；将第二带施加到所述集成电路晶片的背侧；及通过使用具有第二刀片厚度的第二切割刀片从所述晶片的所述前侧锯切所述刻划道来完成切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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